日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S產(chǎn)品介紹

發(fā)布日期：2025-11-10      瀏覽次數(shù)：118

日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S是一款專為精密薄膜制備設(shè)計(jì)的高性能實(shí)驗(yàn)級(jí)設(shè)備，憑借日本shinkuu在真空鍍膜領(lǐng)域多年的技術(shù)積淀，該設(shè)備融合了先進(jìn)的磁控濺射技術(shù)與人性化的操作設(shè)計(jì)，能夠?yàn)椴牧峡茖W(xué)、電子工程、光學(xué)工程等領(lǐng)域的科研及小規(guī)模生產(chǎn)提供穩(wěn)定、高效的薄膜沉積解決方案，廣泛應(yīng)用于高校實(shí)驗(yàn)室、科研機(jī)構(gòu)及高中端制造企業(yè)的研發(fā)環(huán)節(jié)。

一、核心技術(shù)原理

MSP-1S基于磁控離子濺射技術(shù)原理，通過在真空腔體內(nèi)建立正交的磁場(chǎng)與電場(chǎng)，使氬氣等工作氣體在電場(chǎng)作用下電離產(chǎn)生等離子體。等離子體中的正離子在電場(chǎng)加速下高速轟擊靶材表面，通過動(dòng)量轉(zhuǎn)移使靶材原子或分子脫離靶材表面并沉積在基底上，形成均勻、致密的薄膜。相較于傳統(tǒng)濺射技術(shù)，其獨(dú)特的磁控結(jié)構(gòu)可有效約束電子運(yùn)動(dòng)軌跡，延長(zhǎng)電子與氣體分子的碰撞概率，顯著提高等離子體密度，進(jìn)而提升濺射速率與薄膜質(zhì)量，同時(shí)降低基底溫度升高帶來(lái)的材料損傷風(fēng)險(xiǎn)。

二、關(guān)鍵性能參數(shù)

MSP-1S的性能參數(shù)經(jīng)過精準(zhǔn)調(diào)校，確保了設(shè)備的穩(wěn)定性與適用性，核心參數(shù)如下：

1. 真空系統(tǒng)：采用高效復(fù)合真空抽氣系統(tǒng)，包括機(jī)械泵與分子泵（或擴(kuò)散泵），可快速實(shí)現(xiàn)真空腔體內(nèi)真空度達(dá)到5×10?? Pa以下的高真空環(huán)境，有效減少氣體雜質(zhì)對(duì)薄膜沉積的影響，保障薄膜純度。

2. 靶材配置：支持多種靶材類型，包括金屬（如金、銀、銅、鋁、鈦等）、合金（如不銹鋼、鈦合金等）及部分陶瓷靶材，靶材尺寸適配φ50mm×3mm等常規(guī)規(guī)格，可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求快速更換靶材，滿足不同薄膜材料的制備需求。

3. 濺射功率：采用直流濺射電源，功率調(diào)節(jié)范圍為0-100W，支持連續(xù)可調(diào)，可根據(jù)靶材特性及薄膜厚度要求精準(zhǔn)控制濺射速率，實(shí)現(xiàn)從納米級(jí)到微米級(jí)不同厚度薄膜的精確制備。

4. 基底臺(tái)設(shè)計(jì)：配備可旋轉(zhuǎn)基底臺(tái)，旋轉(zhuǎn)速度0-10rpm可調(diào)，確?；赘鲄^(qū)域薄膜沉積均勻性；基底臺(tái)支持室溫至300℃加熱功能（可選配），可滿足不同材料沉積過程中對(duì)基底溫度的特定要求，提升薄膜與基底的結(jié)合力。

5. 腔體規(guī)格：真空腔體有效容積約3L，結(jié)構(gòu)緊湊，便于維護(hù)與清潔；腔體內(nèi)配備觀察窗，可實(shí)時(shí)觀察濺射過程，方便實(shí)驗(yàn)人員監(jiān)控實(shí)驗(yàn)進(jìn)度。

6. 控制方式：采用PLC控制系統(tǒng)，搭配7英寸觸控操作屏，界面簡(jiǎn)潔直觀，可實(shí)現(xiàn)真空抽氣、濺射功率調(diào)節(jié)、基底旋轉(zhuǎn)及加熱等參數(shù)的一鍵式設(shè)置與實(shí)時(shí)監(jiān)控，同時(shí)支持實(shí)驗(yàn)參數(shù)存儲(chǔ)與調(diào)用功能，便于重復(fù)實(shí)驗(yàn)。

三、主要應(yīng)用領(lǐng)域

MSP-1S憑借其靈活的配置與穩(wěn)定的性能，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用價(jià)值，核心應(yīng)用場(chǎng)景包括：

1. 材料科學(xué)研究：用于制備金屬薄膜、合金薄膜、陶瓷薄膜等，研究薄膜的結(jié)構(gòu)、成分與力學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等性能之間的關(guān)系，為新型材料研發(fā)提供基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)支持。

2. 電子器件制備：可用于制備電子器件中的電極薄膜、導(dǎo)電薄膜及絕緣薄膜，如半導(dǎo)體芯片中的金屬電極、柔性電子器件中的透明導(dǎo)電薄膜等，滿足電子器件微型化、高精度的制備要求。

3. 光學(xué)薄膜制備：用于制備增透膜、反射膜、濾光膜等光學(xué)薄膜，應(yīng)用于光學(xué)鏡頭、顯示器、太陽(yáng)能電池等光學(xué)器件，提升器件的光學(xué)性能。

4. 生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域：在醫(yī)用材料表面沉積抗菌薄膜、生物相容性薄膜等，改善醫(yī)用材料的表面性能，提升其生物安全性與使用壽命，如人工關(guān)節(jié)表面涂層、醫(yī)用導(dǎo)管表面改性等。

5. 樣品表征輔助：為掃描電子顯微鏡（SEM）、X射線光電子能譜（XPS）等表征設(shè)備制備樣品導(dǎo)電層，解決非導(dǎo)電樣品在表征過程中的電荷積累問題，提升表征結(jié)果的準(zhǔn)確性。

四、產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì)

1. 高薄膜質(zhì)量：先進(jìn)的磁控濺射技術(shù)與高真空系統(tǒng)結(jié)合，確保制備的薄膜具有均勻性好、致密性高、純度高的特點(diǎn)，滿足高精度實(shí)驗(yàn)與研發(fā)需求。

2. 操作便捷性：觸控屏操作與PLC控制系統(tǒng)簡(jiǎn)化了實(shí)驗(yàn)流程，即使是新手操作人員也能快速上手，同時(shí)參數(shù)存儲(chǔ)功能提升了實(shí)驗(yàn)的可重復(fù)性。

3. 靈活適配性：支持多種靶材與基底類型，可搭配加熱、旋轉(zhuǎn)等可選功能，能夠根據(jù)不同實(shí)驗(yàn)需求進(jìn)行靈活配置，適配多場(chǎng)景應(yīng)用。

4. 緊湊耐用：設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，占用空間小，適合實(shí)驗(yàn)室有限空間布局；核心部件采用高品質(zhì)材料與精密加工工藝，使用壽命長(zhǎng)，維護(hù)成本低。

5. 安全可靠：配備真空度異常報(bào)警、過溫保護(hù)、過流保護(hù)等多重安全保護(hù)機(jī)制，確保實(shí)驗(yàn)過程的安全性與設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

五、總結(jié)

日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S以其精準(zhǔn)的控制能力、穩(wěn)定的性能表現(xiàn)與廣泛的適配性，成為科研領(lǐng)域薄膜制備的理想設(shè)備。無(wú)論是基礎(chǔ)材料研究還是高中端器件研發(fā)，MSP-1S都能憑借其核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為用戶提供高效、可靠的薄膜沉積解決方案，助力科研人員突破技術(shù)瓶頸，推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展。